SIHB4N80E-GE3
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VISHAY - SIHB4N80E-GE3 - パワーMOSFET, N チャネル, 800 V, 4.3 A, 1.27 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面実装
製品概要の主要属性
RoHS準拠
データシート
不具合解析・環境対応
-
ECCN
EAR99
原産国
CN
梱包形態：
CUT TAPE
デートコード：
—
