NGW75T65H3DFPQ
※ 画像は参考です。製品仕様をご覧ください。
650 V, 75 A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode
製品概要の主要属性
RoHS準拠
鉛フリー
不具合解析・環境対応
○
ECCN
EAR99
部品ステータス
Active
原産国
CN
梱包形態:
TUBE
デートコード:
—