SISS02DN-T1-GE3
※ 画像は参考です。製品仕様をご覧ください。
VISHAY - SISS02DN-T1-GE3 - パワーMOSFET, N チャネル, 25 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, 表面実装
製品概要の主要属性
選択中のバリエーション
在庫バリエーション一覧
選択したバリエーションに応じて、商品詳細ページが自動更新されます。
| 操作 |
No.
|
梱包形態
|
デートコード
|
在庫数
|
購入可能数量
|
ユニット価格（税抜）
|
合計金額予測
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 選択中 | 1 | CUT TAPE | — | 0 | 在庫なし | - | - |
| 選択する | 2 | REEL | — | 0 | 在庫なし | - | - |
※購入可能数量には、各商品の発注単位に基づき、必要数量を満たす最小の購入数量を表示しています。
※同じ型番でも、在庫バリエーションによって販売単位が異なる場合がありますので、ご注意ください。
同じカテゴリの製品
ZVN4310GTA
Diodes Inc.
ZVN4310G 100 V 0.54 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-223
梱包形態 : REEL
価格 : ¥170.19〜 ／個
IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
Single N-Channel 600 V 40 mOhm 107 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-247-3
梱包形態 : TUBE
価格 : ¥1,589.95〜 ／個
DMTH81M2SPGW-13
Diodes Inc.
MOSFET, N, 80V
梱包形態 : REEL
価格 : ¥1,379.35〜 ／個
IRFP4868PBFAKMA1
Infineon Technologies
300V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET in a TO-247 package
梱包形態 : TUBE
価格 : ¥443.60〜 ／個
IPP175N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
OptiMOS 6 Power Transistor, 200 V
梱包形態 : TUBE
価格 : ¥445.95〜 ／個